近日，風華高科于2011年在美國申請的1項發明專利——《ANTI-REDUCTIVE HIGH-FREQUENCY CERAMIC DIELECTRIC MATERIAL SINTERED AT LOW TEMPERATURE AND MATCHED WITH COPPER INTERNAL ELECTRODE》（中文譯名：一種抗還原性銅內電極高頻低溫燒結陶瓷介質材料；發明人名單：宋蓓蓓、宋永生、莫方策、任海東、王孝國、郭精華等）獲得了由美國專利商標局頒發的授權專利證書，初步實現公司在北美地區專利授權量“零”的突破。

該專利技術由公司下屬電子工程開發分公司研發，在全球范圍內公開了一種抗還原銅內電極高頻低溫燒結陶瓷介質材料,可用于銅內電極多層陶瓷電容器制作。由主晶相、改性添加劑、燒結助熔劑組成，主晶相的結構式是MgxBa(1-x) ZrySi(1-y)O3 ，其中0.8≤x≤0.95，0.05≤y≤0.2，所述的改性添加劑是MnO2、CaO、Li2O、Bi2O3、TiO2中的一種或幾種；所述的燒結助熔劑是B2O3、SiO2、ZnO、CuO、K2O、BaO中的一種或幾種。 上述陶瓷介質材料滿足EIA標準COG特性,且材料具備均一、粒度分布均勻、分散性高、成型工藝好的特點，符合環保要求，介電特性優良，已達到國際先進水平，具備良好的全球市場前景。